Diagram skematik pemanfaatan semikonduktor neuromorfik berbasis kecerdasan buatan (AI) untuk aplikasi kedirgantaraan. (Kementerian Ilmu Pengetahuan dan Teknologi Informasi)
Penulis: Koh Hyunjeong
Tim peneliti gabungan yang terdiri dari Kementerian Ilmu Pengetahuan dan Teknologi Informasi, Institut Riset Energi Atom Korea, Universitas Chungbuk, serta IMEC Belgia pada tanggal 19 Maret 2026 menyatakan bahwa mereka untuk pertama kalinya di dunia berhasil memverifikasi teknologi semikonduktor kecerdasan buatan (AI) generasi berikutnya.
Teknologi tersebut dapat beroperasi secara stabil bahkan dalam lingkungan radiasi luar angkasa.
Teknologi ini diharapkan menjadi fondasi bagi kemandirian semikonduktor AI di bidang antariksa dan pertahanan.
Dalam eksplorasi luar angkasa, kemampuan perangkat semikonduktor untuk bertahan terhadap radiasi kosmik yang kuat menjadi faktor kunci, karena radiasi dapat menyebabkan kerusakan dan cacat yang berujung pada penurunan kinerja serta malfungsi.
Tim peneliti mengembangkan transistor yang meniru sinaps berbasis bahan semikonduktor generasi berikutnya, yakni indium-galium-seng oksida (IGZO), serta memverifikasi ketahanannya terhadap radiasi. Dengan menggunakan akselerator proton, tim menembakkan berkas proton berenergi tinggi sebesar 33 MeV (megaelektronvolt), yang setara dengan paparan lebih dari 20 tahun di lingkungan orbit rendah Bumi.
Hasil eksperimen menunjukkan bahwa fungsi switching transistor serta kemampuan perangkat neuromorfik dalam mengatur kekuatan koneksi neuron tetap terjaga secara stabil.
Dalam simulasi pengenalan tulisan tangan, teknologi ini mencatat tingkat akurasi sebesar 92,6% dan juga menunjukkan kemampuan komputasi 4-bit.
Tim peneliti menyatakan bahwa teknologi ini akan terus dikembangkan sebagai teknologi kunci dalam bidang semikonduktor AI untuk industri kedirgantaraan.
Hasil penelitian ini dipublikasikan pada tanggal 15 Maret 2026 dalam jurnal internasional
Materials Science in Semiconductor Processing.
hjkoh@korea.kr